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第三代半导体材料引发全球关注

发布时间:2021-09-15 12:36:04
日前,中欧第三代半导体高峰论坛在广东省深圳市举行,来自中国和欧洲从事碳化硅、氮化镓等第三代半导体技术研究的200多位知名*学者和产业界人士汇聚一堂,探讨第三代半导体材料的前沿技术和发展趋势。
  国际权威信息技术研究与顾问咨询公司高德纳发布的*新预测报告显示,2017年全球半导体市场总营收将达到4111亿美元,较2016年增长19.7%。据统计,全球半导体市场总营收在2014年至2016年间,规模在3400亿美元左右。2017年因内存价格逐季大涨,带动半导体市场出现强劲增长。2018年半导体市场可望增长4%,达到4274亿美元规模,继续创新高。
  记者从论坛上获悉,近年来,以碳化硅、氮化镓等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点,可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、新一代移动通信、消费类电子等领域,被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术,已成为美国、欧洲、日本半导体行业的重点研究方向。
  多位出席论坛的*表示,目前中国在第三代半导体材料研究上紧跟世界前沿,是为数不多的碳化硅材料衬底、材料外延产业化的国家。深圳青铜剑科技股份有限公司副总裁和巍巍表示,我国第三代半导体器件设计和制造工艺正向世界*迈进,行业已迎来发展的春天。深圳市人大常委会副主任、深圳市科学技术协会主席蒋宇扬表示,广大科技企业与科技工作者要紧扣时代脉搏,进一步加大研发投入、加强国际合作,助力第三代半导体产业快速发展。
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